赤外半導体材料
PbS・PbSe・PbTe


鉛化合物のPbS、PbSe、PbTeは、赤外域の検出や熱イメージングの用途に限定される、直接バンドギャップ半導体材料です。1-5.5umの範囲で使用可能です。室温でも特性に問題なく使用可能ですが、より感度が必要な場合は、冷却して使用も可能です。PbS、PbSe、PbTe検出器は、火炎探知、燃焼制御、非接触温度測定、ガス・湿気制御、分光光度法、解析・医用画像などに広く使用されています。

Basic properties
Material PbS PbSe PbTe
Structure Cubic (NaCL-type) 　 　
Density 7.60 g/ cm3 8.15 g/ cm3 8.16 g/ cm3
Thermal conductivity (at 25 deg C) 0.03 W/cmK 0.017 0.017
Refractive index (λ= 6 μm) 4.19 4.54 5.48
Direct bandgap 0.37 eV 0.27 eV 0.32 eV

Products

PbS, PbSe, PbTe rods, wafers and substrates
Diameter/Width 55 mm
Thickness/length 0.1-30 mm
Surface quality 80/50, 60/40, 40/20 per MIL-0-13830
Orientation (100)

メーカーHPはこちらをご覧ください。

　※　お客様のご要望に応じて作製することも可能です。お問い合わせ下さい。
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株式会社ハナムラオプティクス