■Bi2Se3■
Bi2Se3は、熱電材料やトポロジカル絶縁体として
使用されます。熱電発電装置に多く使用されています。Bi2Te3同様に、表面絶縁特性を使用した高性能
トランジスタや記憶装置を開発するリサーチャーに
支持されている材料です。同材料の特性を調節する
為に、Bi2Te3は気体や放射性物質以外の元素をドープすることが可能です。
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| Structure |
Hexagonal |
| Lattice parameters |
a=4.14 , c=28.7 |
| Density |
7.51 g/ cm3 |
| Knoop microhardness |
167 N/ mm2 |
| Eg |
0.35 eV |
| Melting point |
706 °C |
| Max. single crystal diameter/length: |
O30×30-40
mm |
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| Diameter/Width |
5-55 mm * |
| Thickness/Length |
0.1-80 mm* |
| Available dopants |
any (except gases and radioactive elements) |
| Orientation |
(0001) |
| Surface quality |
As grown, as cut, 60/40 per MIL-0-13830 |
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メーカーHPはこちらをご覧ください。
※ お客様のご要望に応じて作製することも可能です。お問い合わせ下さい。
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