Qスイッチ用 Cr:YAG結晶
■ 標準 Cr
4+
:YAG Qスイッチ仕様
結晶引上げ方位
<100>または<110>
面方位
<100>または<110>
面精度
λ/10
両端面研磨仕上げ
10-5 Scratch-Dig (Per MIL-O-13830A)
吸収係数
1.5cm
-1
- 5cm
-1
コーティング
AR@1064nm(R<0.2%)
■ ご指定可能な仕様範囲
外径
< 10mm
厚さ
1-5mm（標準）
透過率
5-95%（標準）
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株式会社ハナムラオプティクス
